近期存储市场只能用一个词形容——魔幻。

　　16GB的DDR4内存条，去年同期价格178元，今年已经涨到517元，涨幅超过200%，但这还不是最猛的——部分内存产品价格涨幅达到700%，被评论为“电子茅台”、“比黄金还猛的‘理财产品’”。

　　一边是价格飙升，一边是“一芯难求”：从个人消费者到手机、电脑、服务器厂商还在持续抢芯，陷入“有钱也买不到”的困境。

　　这才只是个开始：集邦咨询对DRAM内存的价格预测一再上调；摩根士丹利近期的报告指出：我们正站在一个长达数年的“存储超级周期”的起点。在AI浪潮的席卷下，全球对存储芯片的需求正在经历一场史诗级的爆发。

　　但在市场的喧嚣中，有一个常识往往被非专业人士忽略，那就是“存储”二字背后的细分领域差异。

　　在半导体产业有一句流传已久的老话：“得存储者得天下”。但翻开过去三十年的产业兴衰史，特别是站在今天AI算力的风口上，这句话应该被更精准地改写为：“得DRAM者，得存储。”

　　在这个超级周期里，DRAM内存芯片不是配角，而是当之无愧的“第一主角”：它在存储市场中规模第一、制造难度第一，更是AI算力的第一命门。

　　今天就来拆解一下，为什么DRAM才是半导体工业那颗难以摘取的“隐形皇冠”。

　　存储芯片间的物种隔离：大脑与书架

　　很多行外人容易把DRAM（内存）和NAND Flash（闪存）混为一谈，觉得它们长得差不多，都是“存数据的芯片”。

　　但它们其实完全是两个物种。

　　打个比方：如果把计算机比作一个书房，CPU是那个伏案工作的“教授”，NAND（硬盘）就是靠墙的一排排巨大“书架”，而DRAM（内存）则是教授面前那张昂贵的“办公桌”。

　　NAND的任务是“大”。它的核心逻辑是堆叠，怎么便宜怎么来，怎么能塞下更多东西怎么来。哪怕反应慢一点也没关系，只要断电后书（数据）不丢就行。

　　DRAM的任务是“快”。它是CPU这位教授思考时的“演算纸”，临时记录着思考要点。CPU处理数据的速度是光速级的，如果它每次都要转身去书架（NAND）上翻书，那电脑就会卡死。DRAM必须以纳秒级的速度，时刻跟上CPU的节奏。

　　这种功能上的天壤之别，决定了它们在物理结构上的“隔离”。

　　NAND的核心技术是堆叠，把存储单元像楼房一样盖起来，主要追求大容量；而DRAM的核心技术是在极微观的尺度下控制电流的瞬间吞吐，主要追求高速度。在AI时代，算力的瓶颈不在于书架上有多少书，而在于教授面前的这张桌子（DRAM）够不够大、够不够快。

　　制造的鸿沟：“盖楼”与“制表”不互通

　　既然都是芯片，都能堆叠，那能造好NAND的企业，是不是顺手就能把DRAM造了？

　　这是一个极其昂贵的误解。

　　从制造工艺的精度和难度上看，DRAM的难度更接近CPU，远高于NAND。

　　NAND的制造逻辑类似“盖楼”，当前NAND厂商主要在比谁盖得高，从128层盖到232层甚至300层。这确实很难，难点在于“垂直打孔”——如何在几百层楼里打通电梯井。

　　DRAM的制造逻辑类似“造表”。DRAM的核心是一个个极其精密的电容器，要在纳米级的空间里，制造出既不漏电、又能每秒钟充放电上亿次的微型电容，要求极为精密。

　　这就好比，NAND厂商擅长的是把钢筋混凝土砌到300层高，这是一个宏大的土木工程；而DRAM厂商需要做的是在米粒大小的地方雕刻出一座精密迷宫。

　　这就解释了为什么业内有一个残酷的共识：DRAM的制造难度，是NAND的数倍。 即使拥有世界优秀的300层NAND制造能力，面对DRAM那极为苛刻的光刻精度和电容材料工艺，也无异于让一个优秀的建筑工去修瑞士机械表。

　　这不是“升级”，而是“转行”。

　　进军DRAM：一张昂贵的入场券

　　技术难度的差异，直接映射到了市场格局上。

　　NAND市场堪称巨头林立，有六七家玩家在“战国混战”，份额咬得很紧。

　　而DRAM市场则是寡头“修罗场”，幸存下来的只有几家——国外的三星、SK海力士、美光和中国的长鑫。

　　为什么DRAM会形成如此极致的寡头垄断？因为在过去几十年里，DRAM的技术壁垒和资本门槛太高了，高到无数曾经辉煌的欧美日巨头（如奇梦达、尔必达）都倒在了血泊中。

　　活下来的，是真正的“凤毛麟角”。

　　这也形成了一个有趣的现象：三星、SK海力士、美光三家企业都是先在DRAM领域站稳了脚跟，拥有了极深的技术护城河和现金流后，再去做NAND。

　　因为DRAM的工艺更精密、容错率更低，掌握了DRAM技术的企业去做NAND，虽然也有挑战，但属于“从难到易”。反之，如果一家企业只掌握了NAND技术，想要逆流而上去做DRAM，那面临的将是指数级的难度跃迁。

　　历史上，从未有过一家纯粹的NAND公司，能够成功逆袭成为DRAM巨头的先例。这不仅仅是钱的问题，更是技术基因的问题。

　　AI的命门：没有DRAM，就没有HBM

　　把视线拉回到现在的AI热潮。为什么说DRAM是这次超级周期的核心？

　　因为所有人都想要英伟达的GPU，而英伟达GPU的“命门”叫HBM（高带宽内存）。

　　HBM到底是什么？很多人把它神话了。其实说穿了，HBM就是把几颗、十几颗DRAM芯片，像搭积木一样垂直堆叠起来，封装在一起。

　　HBM的本质，还是DRAM。

　　在HBM的制造成本中，DRAM裸片的成本占比超过了70%。 剩下的才是封装和逻辑控制。这意味着什么？这意味着如果你造不出世界优异的DRAM芯片，你就绝对造不出HBM。

　　这就好比做面包。先进封装技术是烤箱，但DRAM芯片是面粉。你烤箱再高级，如果没有优异的面粉，也烤不出能吃的面包。

　　在AI算力的竞赛中，HBM是入场券。而DRAM技术，则是印制这张入场券的唯一油墨。

　　对于一个国家或一个产业来说，如果无法掌握DRAM的核心制造技术，即便在其它存储领域做得再大，也无法建立起真正的高性能计算中心，造不出优异的算力芯片。

　　结语

　　在AI驱动的这轮存储超级周期里，市场是狂热的，但逻辑是冰冷的。

　　DRAM凭借其接近逻辑芯片的制造难度、极高的技术壁垒和在HBM中的核心地位，牢牢占据着价值链的顶端。

　　DRAM拼的是对物理极限的微观掌控力。这注定了DRAM不是一个人人都能分一杯羹的普惠市场，而是一个属于极少数“技术贵族”的封闭俱乐部。

　　对于产业观察者和战略制定者而言，认清这一点至关重要：在通往AI算力之巅的路上，DRAM才是那块必须啃下的最硬骨头。