1月21日，全球知识产权与科技信息分析的权威机构科睿唯安（Clarivate）近期公布2026年度“全球百强创新机构”榜单，国内存储芯片龙头长鑫科技凭借DRAM领域的深耕积淀与硬核创新实力首次上榜，成为7家中国大陆上榜企业中的半导体存储企业，一举填补了国产半导体存储领域在该榜单的空白。这份榜单自2012年起便以严苛的多维度评估体系，成为全球科技创新实力的核心标尺，聚焦技术影响力、创新投资力度、全球化布局及独特性等关键指标，上榜企业均为引领全球产业技术迭代的核心力量。此次与长鑫科技同台的还有华为、腾讯、京东方、宁德时代、中兴通讯、TCL科技等国内硬科技龙头，覆盖信息通信、显示、新能源、AI多领域赛道，既彰显了中国科技企业的创新跃升，也获得了国际市场对中国核心科技潜力的高度认可。

　　从国产破冰到产品性能跻身全球出色阵营

　　科睿唯安在评选中指出，长鑫科技上榜源于其“专注于DRAM存储技术的自主研发与创新，为全球电子产业链提供了关键支撑”。公开资料显示，长鑫科技是中国规模最大、技术最先进、产业链布局最完整的DRAM设计制造一体化企业。截至2025年6月30日，公司累计拥有境内外专利达5589项，在专利“质量”与“数量”上实现了同步稳健积累。

　　坚实的创新基础已成功转化为卓越的产品竞争力。在公司创立初期，中国在DRAM核心领域尚属空白。长鑫科技于2019年9月推出首款自主设计制造的8Gb DDR4产品，完成了国产DRAM从无到有的历史性跨越。此后，公司接连推出多款国产首创新品。目前，其最新发布的LPDDR5X和DDR5产品性能均已达到国际一流水平：其中LPDDR5X系列数据传输速率突破10667Mbps，较上一代提升66%，能够满足高端智能手机、平板电脑等移动设备对高速度与低功耗的严苛要求；DDR5产品速率高达8000Mbps，单颗最大容量为24Gb，可广泛应用于个人电脑、服务器及数据中心等领域。这两款最新产品的关键性能指标均已步入全球领先阵营。

　　IPO稳步推进+创新赋能，长鑫科技激活产业发展新动能

　　长鑫科技此次入选，被行业视为国际市场对中国半导体存储企业技术实力的重要认可，也映射出中国存储芯片在自主化道路上取得的阶段性成果。目前，公司正在稳步推进首次公开募股（IPO）进程。其科创板上市申请已于2025年12月30日获得上海证券交易所正式受理。根据招股说明书，募集资金将主要用于DRAM领域关键技术的迭代升级与产能扩张，旨在进一步增强产品竞争力与市场供应能力。

　　在研发投入方面，长鑫科技同样展现出坚定的决心。2022年至2025年上半年，公司累计研发投入超过188亿元人民币，占同期累计营业收入的比例高达33.11%；2025年上半年的研发费用率达到23.71%，显著高于行业同期平均水平。在高度集中的DRAM行业，唯有保持对技术研发的长期高强度投入，才能构建起可持续的竞争壁垒，形成技术创新的正向循环，从而实现竞争力的不断提升。作为国产DRAM产业的“链主”企业，长鑫科技不仅为国内下游产业提供了稳定可靠的存储芯片供给，更有能力带动其供应链上下游实现整体能力的进阶与升级。

　　当前，全球存储芯片市场格局正处于新一轮重组的关键阶段，而人工智能带来的算力需求激增，为行业开辟了前所未有的发展空间。在此背景下，长鑫科技入选“全球百强创新机构”榜单，不仅为其正在推进的IPO注入了强有力的市场信心，也为中国半导体产业的自主创新之路提供了具有示范意义的实践案例。

　　展望未来，随着上市后研发投入的持续加大与产品技术路线的深化推进，长鑫科技所采用的IDM（设计制造一体化）模式，有望进一步带动上下游产业链形成技术协同与生态共进，推动中国存储芯片产业从规模优势向创新能力集群转型，从而在全球半导体格局中注入更多“中国动能”。